大家好，来看一则突发消息(xī)。

　　美光公(gōng)司在华销售的产品未通(tōng)过网(wǎng)络安(ān)全(quán)审查

　　据网信办(bàn)消息，日前，网络(luò)安全审查办公室依法对美光公司在华(huá)销售产品(pǐn)进行了网(wǎng)络安全审(shěn)查。

　　审查发现，美光公(gōng)司产品存(cún)在较严(yán)重(zhòng)网络安全问题(tí)隐(yǐn)患(huàn)，对(duì)我国关键信息基础设(shè)施供应链(liàn)造成重(zhòng)大安全(quán)风险，影(yǐng)响我国(guó)国家安全。为(wèi)此，网络安全审查(chá)办公室依(yī)法作出不予通过网络安全审查的(de)结论。按(àn)照(zhào)《网(wǎng)络(luò)安全(quán)法》等法律(lǜ)法规，我国(guó)内关键(jiàn)信息(xī)基础设施的(de)运营者(zhě)应停止采购美光(guāng)公司产品。

　　此次对美光公司产(chǎn)品进行网络安全(quán)审查(chá)，目的是防范产品(pǐn)网络安全问题危害国(guó)家关键信息基础设施安(ān)全，是(shì)维(wéi)护国家安全的必要措施。中国坚定推(tuī)进高(gāo)水平对外(wài)开放，只要(yào)遵守中国(guó)法律法规(guī)要求，欢迎各(gè)国企业(yè)、各类平台产品服务进入中国市(shì)场。

　　3月31日(rì)，中(zhōng)国(guó)网(wǎng)信网发文称，为保障关(guān)键信息基(jī)础设施供应链(liàn)安全，防(fáng)范产品问题隐(yǐn)患造(zào)成网络安全(quán)风(fēng)险，维护国家安全，依据《中华人民(mín)共和国国家安(ān)全法》《中华(huá)人(rén)民共和国网络安全(quán)法》，网(wǎng)络安全审查办公(gōng)室按照(zhào)《网络安全审查(chá)办法》，对美(měi)光公(gōng)司(sī)（Micron）在华销(xiāo)售的产品(pǐn)实施网络安全(quán)审查。

　　美(měi)光是美国的存储芯片行(xíng)业龙头，也是全球存储芯片(piàn)巨头之一，2022年收入来(lái)自中(zhōng)国市场收入从(cóng)此(cǐ)前(qián)高峰57％降至2022年约(yuē)11％。根(gēn)据市场(chǎng)咨询(xún)机构 Omdia（IHS Markit）统(tǒng)计，2021 年三星电子、 铠侠、西部数(shù)据(jù)、SK 海(hǎi)力士、美光、Solidigm 在全(quán)球 NAND Flash （闪存）市(shì)场份额约为 96.76％，三星电子、 SK 海力(lì)士、美光在全球 DRAM （内存）市(shì)场份额(é)约(yuē)为 94.35％。

　　A股上(shàng)市公司(sī)中，江(jiāng)波龙、佰维(wéi)存储等公司披露(lù)过美光等国际存储厂商(shāng)为(wèi)公司供应(yīng)商。

　　美光在江波(bō)龙采购(gòu)占比已(yǐ)经显著下(xià)降(jiàng)，至少已(yǐ)经(jīng)不是主要大供(gōng)应商。

　　公告显示， 2021年(nián)美光位列(liè)江(jiāng)波龙第一大存储晶圆供应商，采购约31亿元，占比33.52％；2022年，江波龙(lóng)第一大、第二大和第三大供应(yīng)商采购金额(é)占比分别是(shì)26.28％、22.85％和5.76％。

　　目(mù)前江波龙已(情怀经典句子正能量，形容一个人有情怀咋说yǐ)经(jīng)在(zài)存(cún)储产业链上下游建立国内外广泛合作(zuò)。2022年年报(bào)显示，江波龙(lóng)与三星、美光、西部数据等主要存(cún)储(chǔ)晶圆原厂签署了长期合(hé)约(yuē)，确保存储晶圆供应(yīng)的稳(wěn)定(dìng)性，巩固公司(sī)在下(xià)游(yóu)市场的供应优势，公司也(yě)与国(guó)内国产(chǎn)存储晶圆原厂武汉长(zhǎng)江存储、合肥长鑫(xīn)保持良(liáng)好(hǎo)的合作。

　　有券(quàn)商此(cǐ)前就分(fēn)析，如果美光在(zài)中国区(qū)销售受(shòu)到限(xiàn)制，或将导致下游客户转而(ér)采购国(guó)外(wài)三星、 SK海(hǎi)力士，国内长江存储、长鑫存储(chǔ)等(děng)竞对产品

　　分析称，长存、长鑫的上游(yóu)设备厂或从中(zhōng)受益。存储器的生产已(yǐ)经演进到1Xnm、1Ynm甚至(zhì)1Znm的工(gōng)艺。另外NAND Flash现在已经进入3D NAND时(shí)代，2 维到3维的结(jié)构转(zhuǎn)变(biàn)使刻蚀和薄膜(mó)成(chéng)为最关键、最(zuì)大量的(de)加(jiā)工设备(bèi)。3D NAND每层均(jūn)需要(yào)经过薄(báo)膜沉积工艺步骤，同(tóng)时刻蚀(shí)目前前(qián)沿要刻到 60：1的深孔(kǒng)，未来(lái)可能会更(gèng)深的孔(kǒng)或者沟槽，催生更多设(shè)备需求。据东京电子披露，薄膜沉积设备及刻蚀占(zhàn)3D NAND产线资本开(kāi)支合(hé)计为75％。自长江存储被加(jiā)入美国限制名单，设备国产(chǎn)化进程加速，看好拓(tuò)荆(jīng)科技（薄膜(mó)沉积）等相(xiāng)关公司份额提(tí)升，以及(jí)存储业务占比(bǐ)较高的华海清(qīng)科（CMP）、盛美上海（清(qīng)洗）等收入增长(zhǎng)。

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